OS-MCVD设备技术指标

1.机床相关参数

 平移模式：采用双伺服电机，快走与慢走可自动切换 

 快走速度： ≥3000mm/min

 慢走速度： ≤1mm/min

 旋转速度： 0-200rpm

 压力控制系统 检测压力控制点： 2 个

 机床长度： 3700mm

 主轴端面径向跳动精度： ≤0.05m

 主轴端面轴向跳动精度： ≤0.05mm

 主旋转轴同轴度偏差率： ≤0.05mm

 熔缩管的外直径可达范围： ≥50mm

 反应管压力可控制范围： -1000Pa-2000Pa

 管压控制精度： ±0.3%

 管路压力测试点： 4 个

2.碱金属掺杂系统相关参数

 加热系统的温度范围： 600℃-1300℃

 温度波动精度： ±1℃

 调整温度方式： 在0-100% 范围内可连续调整

 配置的碱金属罐数量： 3 个

 载气He MFC： 3 个

3.沉积气柜相关参数

 柜体

 柜内分区加热

 SiCl₄、GeCl₄、POCl₃ 鼓泡罐（带压力与液位传感器）

 鼓泡氧MFC  

 气动隔膜阀、手阀 、相应管路等

 可连接SiCl₄、GeCl₄、POCl₃ 供料柜，给鼓泡罐灌料

 碱金属掺杂气柜，包括加热罐、载气控制、 加热管路等 。

4.沉积工艺指标

 制备的预制棒的连续均匀段长度：≥300.0mm；（均匀段标准：折射率偏差 ≤ ±5%的连续长度）

 制备的预制棒直径： ≥ 20.0mm

 制备的掺硼应力棒参数：棒直径≥12.0mm，棒芯层相对纯二氧化硅的折射率差△≤-0.6%

 制备的单模光纤损耗参数：≤3.0 dB/km@1383nm，≤0.50dB/km@1550nm