OS-PVD设备技术指标
1 微波等离子体系统
1）微波源：6kW@2.45GHz, 或10kW@2.45GHz
2）微波反射： ≤1%
3）微波泄露：距离炉体外壳5cm处小于1mW/cm2
4）自动调谐器：≥10kW
5）微波波导：矩形波导
6）微波等离子体工作压力（管压）：0.5Torr-40Torr；
7）谐振腔：匹配石英衬管外径≥36mm。
2 预热炉
1）预热炉工作温度：1000℃-1300℃
2）保温材料耐受温度≥1400℃
3）温度波动范围±1℃
4）用电电压：3相 380VAC
5）温度调整方式：0-100%连续可调
6）适用石英反应管长度：1200mm~1600mm
7）温度控制：三温区独立控制。
3气路系统
1）SiCl4 MFC : 2500sccm, 500sccm
2）GeCl4 MFC: 350sccm, 100sccm
3）POCl3 MFC: 300sccm, 50sccm
4）BCl3 MFC: 1000sccm, 200sccm
5）O2 MFC: 5000sccmX2, 1000sccm
6）FREON MFC: 1000sccm, 200sccm
7）镱和铒供气MFC: 2000sccm X 2
8）Al供气MFC: 500sccm
4 机床
1）沉积长度：≥1200mm
2）主轴端面径向跳动：≤0.05mm
3）主轴端面轴向跳动：≤0.05mm
4）主旋转轴同轴度偏差：≤0.05mm
5）石英管外径：≥36mm
6）石英管壁厚：2mm～6mm
5 真空系统
1）反应管压力控制范围：0.5Torr~40Torr
2）管压控制精度： ±0.3%
3）原料利用率： ≥90%
4）管路压力测试点：≥4个
6 自动加料柜
1）SiCl4自动加料: 具备自动加料功能
2）GeCl4自动加料: 具备自动加料功能
3）POCl3的自动加料: 具备自动加料功能
7 稳压电源：电压波动小于4%;
8工艺性能技术指标
1）等离子体沉积单层沉积厚度≤1μm
2）预制棒均匀段（折射率偏差）：≥800mm
3）预制棒最大芯直径≥20mm
4）掺氟管：沉积掺氟层，掺氟层与石英间数值孔径符合0.22±0.02，沉积区域有效
长度≥1000 mm，沉积面积≥150mm²
5）掺硼应力棒: 硼芯直径≥14.0mm，硼棒芯层相对纯二氧化硅的折射率差△≤-0.9%
6）50μm多模光纤损耗：≤2.6dB/km@850nm，≤0.7dB/km@1300nm
7）单模光纤损耗：≤0.40 dB/km@1310nm，≤0.25dB/km@1550nm
8）稀土掺杂预制棒: 纤芯Yb掺杂浓度≥3000ppm
