OS-PVD设备技术指标

1 微波等离子体系统

1）微波源：6kW@2.45GHz, 或10kW@2.45GHz

2）微波反射： ≤1%

3）微波泄露：距离炉体外壳5cm处小于1mW/cm²

4）自动调谐器：≥10kW

5）微波波导：矩形波导

6）微波等离子体工作压力（管压）：0.5Torr-40Torr；

7）谐振腔：匹配石英衬管外径≥36mm。

 

2 预热炉

1）预热炉工作温度：1000℃-1300℃

2）保温材料耐受温度≥1400℃

3）温度波动范围±1℃

4）用电电压：3相 380VAC

5）温度调整方式：0-100%连续可调

6）适用石英反应管长度：1200mm~1600mm

7）温度控制：三温区独立控制。

 

3气路系统

1）SiCl4 MFC   : 2500sccm, 500sccm

2）GeCl4 MFC: 350sccm, 100sccm  

3）POCl3 MFC:  300sccm, 50sccm

4）BCl3 MFC:   1000sccm, 200sccm

5）O2 MFC:     5000sccmX2, 1000sccm

6）FREON MFC: 1000sccm, 200sccm

7）镱和铒供气MFC: 2000sccm X 2

8）Al供气MFC:      500sccm

 

4 机床

1）沉积长度：≥1200mm

2）主轴端面径向跳动：≤0.05mm

3）主轴端面轴向跳动：≤0.05mm

4）主旋转轴同轴度偏差：≤0.05mm

5）石英管外径：≥36mm

6）石英管壁厚：2mm～6mm

 

5 真空系统

1）反应管压力控制范围：0.5Torr~40Torr

2）管压控制精度： ±0.3%

3）原料利用率：    ≥90%

4）管路压力测试点：≥4个

 

6 自动加料柜

1）SiCl4自动加料: 具备自动加料功能

2）GeCl4自动加料: 具备自动加料功能

3）POCl3的自动加料: 具备自动加料功能

 

7 稳压电源：电压波动小于4%;

 

8工艺性能技术指标

1）等离子体沉积单层沉积厚度≤1μm

2）预制棒均匀段（折射率偏差）：≥800mm

3）预制棒最大芯直径≥20mm

4）掺氟管：沉积掺氟层，掺氟层与石英间数值孔径符合0.22±0.02，沉积区域有效

长度≥1000 mm，沉积面积≥150mm²

5）掺硼应力棒: 硼芯直径≥14.0mm，硼棒芯层相对纯二氧化硅的折射率差△≤-0.9%

6）50μm多模光纤损耗：≤2.6dB/km@850nm，≤0.7dB/km@1300nm

7）单模光纤损耗：≤0.40 dB/km@1310nm，≤0.25dB/km@1550nm

8）稀土掺杂预制棒: 纤芯Yb掺杂浓度≥3000ppm